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ZVN4310G

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

FEATURES *VerylowRDS(ON)=.54? APPLICATIONS *DC-DCConverters *Solenoids/RelayDriversforAutomotive PARTMARKINGDETAIL-ZVN4310

Zetex

Zetex Semiconductors

ZVN4310G

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT

FeaturesandBenefits ?V(BR)DSS>100V ?RDS(ON)≤0.54Ω@VGS=10V ?MaximumContinuousDrainCurrentID=1.67A ?Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability Applications

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

ZVN4310G

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET;

DiodesDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

ZVN4310G_12

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL MOSFET IN SOT223

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

ZVN4310G_15

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL MOSFET IN SOT223

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

ZVN4310GTA

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL MOSFET IN SOT223

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

ZVN4310GTA

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Automotive Compliant PPAP：

    On Request*

  • Polarity：

    N

  • ESD Diodes：

    No

  • VDS：

    100 V

  • VGS：

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C：

    1.67 A

  • PD @ TA = +25°C：

    3 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)：

    540 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：

    750 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max：

    3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)：

    N/A nC

  • Packages：

    SOT223

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更多ZVN4310G供應(yīng)商 更新時間2025-7-31 11:09:00

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