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ZXMHC10A07N8

100V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge;

This new generation complementary MOSFET H-Bridge\nfeatures low on-resistance achievable with low gate drive.

DiodesDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

ZXMHC10A07N8

100V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

ZXMHC10A07N8TC

100V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • Automotive Compliant PPAP：

    No

  • Type：

    2 x P

  • ESD Diodes：

    No Y/N

  • VDS：

    100 V

  • VGS：

    20 ±V

  • IDSA +25oC：

    0.8

  • PDW +25oC：

    0.87 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)：

    700

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：

    N/A mΩ

  • CISS Typ：

    138

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)：

    2.9

  • Packages：

    SO-8

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多ZXMHC10A07N8供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 11:17:00

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