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ZXMN3A03E6

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET;

This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure\nthat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This\nmakes them ideal for high efficiency, low voltage, power management\napplications.

DiodesDiodes Incorporated

美臺半導體

ZXMN3A03E6

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Zetex

Zetex Semiconductors

ZXMN3A03E6

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Zetex

Zetex Semiconductors

ZXMN3A03E6

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

ZXMN3A03E6TA

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?LowOn-Resistance ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverters,HighSpeedSwitching

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

ZXMN3A03E6_05

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Zetex

Zetex Semiconductors

ZXMN3A03E6_15

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

ZXMN3A03E6TA

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Zetex

Zetex Semiconductors

ZXMN3A03E6TA

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Zetex

Zetex Semiconductors

ZXMN3A03E6TA

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

技術參數

  • Automotive Compliant PPAP：

    On Request*

  • Polarity：

    N

  • ESD Diodes：

    No

  • VDS：

    30 V

  • VGS：

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C：

    4.6 A

  • PD @ TA = +25°C：

    1.7 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)：

    50 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：

    65 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max：

    1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)：

    12.6 nC

  • Packages：

    SOT26 (SC74R)

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多ZXMN3A03E6供應商 更新時間2025-7-29 10:51:00

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