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ZXTP2012ZQ

PNP, 60V, 4.3A, SOT89;

Packaged in the SOT89 outline this new low saturation 60V PNP transistor offers low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits, line switching and various driving and power management functions.\n\n

DiodesDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

ZXTP2012ZQTA

包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 60V 4.3A SOT89

PAMDiodes Incorporated

龍鼎微龍鼎微電子（上海）有限公司

ZXTP2012ZTA

60VPNPLOWSATURATIONMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT89

Features ?BVCEO>-60V ?IC=-4.3AHighContinuousCurrent ?RSAT=32m?foraLowEquivalentOn-Resistance ?LowSaturationVoltageVCE(SAT)

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

ZXTP2012ZTA

60VPNPLOWSATURATIONMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT89

DESCRIPTION PackagedintheSOT89outlinethisnewlowsaturation60VPNPtransistorofferslowonstatelossesmakingitidealforuseinDC-DCcircuits,lineswitchingandvariousdrivingandpowermanagementfunctions. FEATURES ?Extremelylowequivalenton-resistance;RSAT=32mVat5A ?4

Zetex

Zetex Semiconductors

ZXTR2012FF

100VINPUT,12V30mAREGULATORTRANSISTORINSOT23F

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • Compliance(Only Automotive supports PPAP)：

    Automotive

  • Polarity：

    PNP

  • IC (A)：

    4.3

  • ICM (A)：

    15

  • PD (W)：

    2.1

  • hFE (Min)：

    100

  • hFE (@ IC) (A)：

    0.01

  • hFE(Min 2)：

    45

  • hFE (@ IC2) (A)：

    5

  • VCE(sat) Max (mV)：

    20

  • VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：

    0.1/10

  • VCE(sat) (Max.2) (mV)：

    110

  • VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)：

    2/200

  • fT (MHz)：

    120

  • RCE(sat) (mΩ)：

    32

  • Packages：

    SOT89

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
DIODES/美臺(tái)
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SMD
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DIODES原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開13點(diǎn)增值稅
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更多ZXTP2012ZQ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 17:06:00

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