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IPB011N04NF2S

Marking：011N04NS；Package：PG-TO263-3；StrongIRFETTM2 Power-Transistor

Features ?Optimizedforwiderangeofapplications ?N-channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP011N04NF2S

Marking：011N04NS；Package：PG-TO220-3；MOSFET StrongIRFETTM2 Power-Transistor

Features ?Optimizedforwiderangeofapplications ?N-channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多011N04NS供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-1 14:01:00

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