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Marking：0302LS；Package：PG-TDSON-8；MOSFET OptiMOSTM 3 Power-Transistor, 120 V Features ?N-channel,logiclevel ?100avalanchetested ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?150°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification ?Halogen-free | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
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