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Marking：10N60M2；Package：PowerFLAT；N-channel 600 V, 0.580 廓 typ., 5.5 A MDmesh II Plus??low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 HV package Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusinganewgenerationofMDmesh? technology:MDmeshIIPlus?lowQg.This revolutionaryPowerMOSFETassociatesa verticalstructuretothecompany'sstriplayoutto yieldoneoftheworld'sloweston-resistanceand gatecharge | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團 | STMICROELECTRONICS |
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