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Marking：110N12N6；Package：PG-TDSON-8；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?Highavalancheenergyrating ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ? | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
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