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Marking：120M1045；Package：PG-TO247-4；CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features ?Verylowswitchinglosses ?Threshold-freeonstatecharacteristic ?Widegate-sourcevoltagerange ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?0Vturn-offgatevoltage ?Fullycontrollabledv/dt ?Commutationrobustbodydiode,readyforsynchronousrectification ?Eas | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：120M1045；Package：PG-TO247-3；CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
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