首頁 >絲印反查>20M1H024

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IMYH200R024M1H

Marking:20M1H024;Package:PG-TO247-4-PLUS-NT14;CoolSiC? 2000 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=2000VatTvj=25°C ?IDCC=89AatTc=25°C ?RDS(on)=24mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Robustbodydiodeforhardcommutation ?.XTinterconnectiontechnologyforbest-in-classthermalp

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