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Marking：35N60DM2；Package：TO-247；Extremely high dv/dt ruggedness Description ThishighvoltageN-channelPowerMOSFETis partoftheMDmesh?DM2fastrecoverydiode series.Itoffersverylowrecoverycharge(Qrr) andtime(trr)combinedwithlowRDS(on),rendering itsuitableforthemostdemandinghighefficiency convertersandidealforbridgetopologi | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS |
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