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Marking：38RS10H；Package：LFPAK56D；N-channel 100 V, 37.6 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology Generaldescription DualstandardlevelN-channelMOSFETinanLFPAK56D(DualPower-SO8)packageusing TrenchMOStechnology. Featuresandbenefits ?HighpeakdraincurrentIDM ?CopperclipandflexibleLeads ?HighoperatingjunctiontemperatureTj=175°C ?Superiorreliability ?Low | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司 | NEXPERIA |
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