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FDMA410NZT

Marking：410T；Package：MicroFET2x2；MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH, Ultra Thin, 1.5 V 20 V, 9.5 A, 23 m

Description ThisSingleN?ChannelMOSFEThasbeendesignedusing ONSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocesstooptimizethe RDS(on)@VGS=1.5VonspecialMicroFETTMleadframe. ThisdesignissimilartotheFDMA410NZ,howeveritfeaturesour newadvanced0.55mmmax2x2MLPpackage

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDMA410NZT-F130

Marking：410T；Package：MicroFET2x2；MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH, Ultra Thin, 1.5 V 20 V, 9.5 A, 23 m

Description ThisSingleN?ChannelMOSFEThasbeendesignedusing ONSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocesstooptimizethe RDS(on)@VGS=1.5VonspecialMicroFETTMleadframe. ThisdesignissimilartotheFDMA410NZ,howeveritfeaturesour newadvanced0.55mmmax2x2MLPpackage

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多410T供應(yīng)商 更新時間2025-7-25 13:01:00

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