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Marking：65R200D；Package：PG-TSON-8；CoolGaN? Gen2 650 V CoolGaN? enhancement?mode Power Transistor Features ?Enhancementmodetransistor?NormallyOFFswitch ?Ultrafastswitching ?Noreverse?recoverycharge ?Capableofreverseconduction ?Lowgatecharge,lowoutputcharge ?Superiorcommutationruggedness ?ESD(HBM/CDM)JEDECstandards Benefits ?Improvessystemefficiency | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
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