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Marking：66160P；Package：LFPAK33；60 V, P-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanLFPAK33packageusingTrench MOSFETtechnology. ThisproducthasbeendesignedandqualifiedtoAECQ101standardforuseinhighperformance automotiveapplications. 2.Featuresandbenefits ?Hightherm | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 | NEXPERIA |
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