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Marking：7R0ELBE；Package：SOT8073-1；150 V, 7 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 2.2 mm x 3.2 mm x 0.774 mm Land Grid Array (LGA) package 1.Generaldescription TheGAN7R0-150LBEisageneralpurpose150V,7mΩGalliumNitride(GaN)FETinaLandGrid Array(LGA)package.Itisanormally-offe-modedeviceofferingsuperiorperformance. 2.Featuresandbenefits ?Enhancementmode-normally-offpowerswitch ?Ultrahighfreque | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司 | NEXPERIA |
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