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Marking：A12M1N010；Package：PG-TO247-4-STD-NN6.7；CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=202AatTC=25°C ?RDS(on)=8.7mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) ?Bestinclassswi | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
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