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Marking：D1509B；Package：TO-126N；Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Transistor) Applications ?MicromotorDrivers ?HammerDrivers ?Switching ?PowerAmplifiers Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=2000(min)(VCE=2V,IC=1A) (2)Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5V(max)(IC=1A,IB=1mA) (3)ComplementarytoTTB1067B | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA |
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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