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SN74LVC2G132YZPR

Marking：D5N；Package：DSBGA；Dual 2-Input NAND Gate With Schmitt-Trigger Inputs

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

STD5NK50Z-1

Marking：D5NK50Z；Package：TO-251；N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH??ower MOSFET

DESCRIPTION TheSuperMESH?seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstripbasedPowerMESH?layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications.Suchse

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STD5NK50Z-1

Marking：D5NK50Z；Package：TO-251；N-CHANNEL500V-1.22W-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET

DESCRIPTION TheSuperMESH?seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstripbasedPowerMESH?layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications.Suchse

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STD5NK50ZT4

Marking：D5NK50Z；Package：DPAK；N-channel 500 V, 1.22 Ω typ., 4.4 A SuperMESH? Power MOSFETs in I2PAK, DPAK, TO?220, TO?220FP and IPAK packages

Features ?100avalanchetested ?Gatechargeminimized ?Verylowintrinsiccapacitance ?Zener-protected Applications ?Switchingapplications Description Thesehigh-voltagedevicesareZener-protectedN-channelPowerMOSFETs developedusingtheSuperMESH?technologybySTMicroelect

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STD5NM60-1

Marking：D5NM60；Package：IPAK；N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 Ω, 8 A MDmesh? Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK

Description TheMDmesh?isanewrevolutionaryPower MOSFETtechnologythatassociatesthemultiple drainprocesswiththecompany’sPowerMESH? horizontallayout.Theresultingproducthasan outstandinglowon-resistance,impressivelyhigh dv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.The

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STD5NM60T4

Marking：D5NM60；Package：DPAK；N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 Ω, 8 A MDmesh? Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK

Description TheMDmesh?isanewrevolutionaryPower MOSFETtechnologythatassociatesthemultiple drainprocesswiththecompany’sPowerMESH? horizontallayout.Theresultingproducthasan outstandinglowon-resistance,impressivelyhigh dv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.The

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

D5NE60C

Marking：D5NE60C；Package：TO-252；4.5A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司

D5NE60C

Marking：D5NE60C；Package：TO-252；4.5A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司

D5NE60C

Marking：D5NE60C；Package：TO-252；4.5A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司

D5NE60C

Marking：D5NE60C；Package：TO-252；4.5A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    D5N

  • 功能描述：

    DUPLEXER SAW 782MHZ LTE XIII

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    濾波器 >> SAW 濾波器

  • 系列：

    D5

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    -

  • 頻率：

    433.92MHz 中心

  • 帶寬：

    600kHz

  • 濾波器類型：

    帶通

  • 插入損耗：

    3.5dB

  • 應(yīng)用：

    遠(yuǎn)程控制

  • 封裝/外殼：

    TO-205AD，TO-39-3 金屬罐

  • 安裝類型：

    通孔

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 高度（最大）：

    0.125（3.18mm）

  • 尺寸/尺寸：

    0.370 直徑（9.40mm）

  • 其它名稱：

    583-1172-6

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
24+
LLP8
3629
原裝優(yōu)勢!房間現(xiàn)貨!歡迎來電!
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TO-252
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ST
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1000
全新原裝 絕對有貨
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3600
絕對原裝!現(xiàn)貨熱賣!
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SOT-252
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專業(yè)優(yōu)勢供應(yīng)
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢庫存!
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ST
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SOIC
10000
詢價(jià)
更多D5N供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-8 16:15:00

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