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Marking：DS065012C3；Package：TO-220-2L；3 rd Generation 650 V/ 12A SiC Schottky Barrier Diode RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScompliant | SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd 三安光電三安光電股份有限公司 | SANAN |
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