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Marking：DS120060G3；Package：TO-247-3L；3rd Generation 1200V/60A SiC Schottky Barrier Diode RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScompliant | SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd 三安光電三安光電股份有限公司 | SANAN |
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