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Marking：DS170025H5；Package：TO-247-2L；5th Generation 1700V/25A SiC Schottky Barrier Diode Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery High-speedswitchingperformance Temperature-independentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom-55℃to175℃ RoHScompliant | SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd 三安光電三安光電股份有限公司 | SANAN |
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