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Marking：DSH10120C；Package：TO-247-2LD；Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 10 A, 1200 V, D3, TO-247-2L Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI |
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