EG3013

Half-Bridge Driver

Features ?Floatinghighsidedriverinbootstrapoperationto+100V,buildinbootstrapdiode ?Internalfixeddeadtimeof120nS ?Cross-conductionpreventionlogic ?800mAsource/1000mAsinkoutputcurrentcapability ?DrivingN-channelMOSFETsandIGBTsinahalf-bridgeconfiguration ?H

EG3013

EG3013 大功率MOS 管、IGBT 管柵極驅(qū)動(dòng)專用芯片; ·高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì)，耐壓可達(dá)100V\n ·內(nèi)建死區(qū)控制電路\n ·自帶閉鎖功能，徹底杜絕上、下管輸出同時(shí)導(dǎo)通\n ·采用半橋達(dá)林頓管輸出結(jié)構(gòu)具有1A 大電流柵極驅(qū)動(dòng)能力\n ·專用于無刷電機(jī)N 溝道MOS 管、IGBT 管柵極驅(qū)動(dòng)\n ·HIN 輸入通道高電平有效，控制高端HO 輸出\n ·LIN 輸入通道低電平有效，控制低端LO 輸出\n ·外圍器件少\n ·靜態(tài)電流?。?.5mA\n ·封裝形式：SOP-8;

??EG3013 是一款高性價(jià)比的大功率MOS 管、IGBT 管柵極驅(qū)動(dòng)專用芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)時(shí)控制電路、閉鎖電路、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，專用于無刷電機(jī)控制器中的驅(qū)動(dòng)電路。\n ??EG3013 高端的工作電壓可達(dá)100V，Vcc 的電源電壓范圍寬11V～30V，靜態(tài)功耗低僅4.5mA。該芯片具有閉鎖功能防止輸出功率管同時(shí)導(dǎo)通，輸入通道LIN內(nèi)建了上拉5V高電位和HIN 內(nèi)建了一個(gè)10K 下拉電阻，在輸入懸空時(shí)使上、下功率MOS 管處于關(guān)閉狀態(tài)，輸出結(jié)構(gòu)采用半橋式達(dá)林頓管結(jié)構(gòu),采用SOP8 封裝。

EG3013

HIgh-Power MOS tube driver chip

EG3013S

低壓60V半橋驅(qū)動(dòng)芯片; ? 高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì)，耐壓可達(dá) 80V\n\n\n\n? 內(nèi)建死區(qū)控制電路\n\n\n\n? 自帶閉鎖功能，徹底杜絕上、下管輸出同時(shí)導(dǎo)通\n\n\n\n? 采用半橋達(dá)林頓管輸出結(jié)構(gòu)具有 1A 大電流柵極驅(qū)動(dòng)能力\n\n\n\n? 專用于無刷電機(jī) N 溝道 MOS 管、IGBT 管柵極驅(qū)動(dòng)\n\n\n\n? HIN 輸入通道高電平有效，控制高端 HO 輸出\n\n\n\n? LIN 輸入通道低電平有效，控制低端 LO 輸出\n\n\n\n? 外圍器件少\n\n\n\n? 靜態(tài)電流小：4.5mA\n\n\n\n? 封裝形式：SOP - 8;

EG3013S 是一款高性價(jià)比的大功率 MOS 管、IGBT 管柵極驅(qū)動(dòng)專用芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)時(shí)控制電路、閉鎖電路、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，專用于無刷電機(jī)控制器中的驅(qū)動(dòng)電路。高端工作電壓可達(dá) 80V，Vcc 的電源電壓范圍寬 4.5V - 30V，靜態(tài)功耗低僅 4.5mA。該芯片具有閉鎖功能防止輸出功率管同時(shí)導(dǎo)通，輸入通道 LIN 內(nèi)建了上拉 5V 高電位和 HIN 內(nèi)建了一個(gè) 15K 下拉電阻，在輸入懸空時(shí)使上、下功率 MOS 管處于關(guān)閉狀態(tài)，輸出結(jié)構(gòu)采用半橋式達(dá)林頓管結(jié)構(gòu)，采用 SOP8 封裝。

EPZ3013G

PowerChoke

EPZ3013G

PowerChoke

EVB3013A

W3013IndirectQuadratureModulatorwithGainControl

Description TheW3013isamonolithicintegratedcircuitthatprovidesindirect,quadraturemodulationofanRFcarrierbyI&Qbasebandinputs.ThefunctionperformedbytheW3013isparticularlysuitedforhandhelddigitalcellularanddigitalcordlesstelephonesthatoperatebetween800M

F3013TERU

F3000TERUSERIES

FJX3013R

SwitchingApplication

SwitchingApplication(BiasResistorBuiltIn) ?Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit ?BuiltinbiasResistor(R1=2.2K?,R2=47K?) ?ComplementtoFJX4013R

FJY3013R

NPNEpitaxialSiliconTransistor

Features ?Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit ?BuiltinbiasResistor(R1=2.2K?,R2=47K?) ?ComplementtoFJY4013R