首頁>F3L150R07W2E3_B11>芯片詳情

F3L150R07W2E3_B11_INFINEON/英飛凌_IGBT 模塊 IGBT MODULES 650V 150A富芯樂電子

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    F3L150R07W2E3_B11

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫存數(shù)量：

    1130

  • 產(chǎn)品封裝：

    IGBT模塊

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間：

    2025-6-23 17:01:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：F3L150R07W2E3_B11品牌：INFINEON/英飛凌

原廠授權(quán),一級代理IGBT模塊,可控硅模塊

  • 芯片型號：

    F3L150R07W2E3_B11

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    11 頁

  • 文件大小：

    836.32 kb

  • 資料說明：

    EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    F3L150R07W2E3_B11

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 IGBT MODULES 650V 150A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市富芯樂電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機：

    15919825718

  • 詢價：
  • 電話：

    15919825718

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層1號10B15

相近型號