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FFSB0865B | Marking：FFSB0865B；Package：D2PAK2；Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 8A, 650 V, D2, D2PAK-2L SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSiliconCarbide | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
Marking：FFSB0865B；Package：D2PAK；Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 8 A SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSiliconCarbide | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
FFSB0865B | Marking：FFSB0865B；Package：D2PAK；Silicon Carbide Schottky Diode | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
FFSB0865B
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 二極管類型：
碳化硅肖特基
- 電流 - 平均整流 (Io)：
10.1A
- 速度：
無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）
- 不同?Vr、F 時電容：
336pF @ 1V，100kHz
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：
D2PAK-2（TO-263-2）
- 工作溫度 - 結(jié)：
-55°C ~ 175°C
- 描述：
650V 8A SIC SBD GEN1.5
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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