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Marking：FFSH10120ADN；Package：TO-247-3LD；Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 10 A Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI |
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