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Marking：FGB40T65SPD；Package：D2PAK-3；IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 40 A GeneralDescription Usingthenovelfieldstop3rdgenerationIGBTtechnology, FGH40T65SPD?F085offerstheoptimumperformancewithbothlow conductionlossandswitchinglossforahighefficiencyoperationin variousapplications,whileprovides50Vhigherblockingvoltageand ruggedhigh | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
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