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Marking：FGY120T65SPD；Package：TP-247；Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode 650 V, 120 A Features ?VeryLowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.5V(Typ.)@IC=120A ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C ?PositiveTemperatureCo?efficient ?TightParameterDistribution ?HighInputImpedance ?100%ofthePartsareDynamicallyTested ?ShortCircuitRuggedness>6s | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI |
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