首頁(yè)>FP35R12W2T4>芯片詳情

FP35R12W2T4_原裝_IGBT 模塊 IGBT-MODULE中天科工一部

FP35R12W2T4

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    FP35R12W2T4

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    原裝

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    9835

  • 產(chǎn)品封裝：

    MODULE

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    25+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-14 20:41:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：FP35R12W2T4品牌：原裝

熱賣原裝現(xiàn)貨FP35R12W2T4

  • 芯片型號(hào)：

    FP35R12W2T4

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    12 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1077.13 kb

  • 資料說(shuō)明：

    EasyPIM Modul mit schnellem Trench

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    FP35R12W2T4

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 IGBT-MODULE

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13128990370

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13128990370/微信同號(hào)

  • 傳真：

    原裝正品

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格廣場(chǎng)54層5406-5406B

相近型號(hào)