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PESDSOT05C

Marking：G05；Package：SOT-23；Plastic-Encap sulate Diodes

DESCRIPTION LowcapacitancebidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protection diodeinasmallSOT-23Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesigned toprotecttwodatalinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. FEATURES ?Bi-directionalESDprotectionoft

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

MIC2006-0.5YML-TR

Marking：G05；Package：DFN；Fixed and Adjustable Current Limiting Power Distribution Switches

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

G050N03S

Marking：G050N03；Package：SOP-8；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG050N03Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

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谷峰半導(dǎo)體

G050P03D5

Marking：G050P03；Package：DFN5/6-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG050P03D5usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

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谷峰半導(dǎo)體

G050P03K

Marking：G050P03；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG050P03Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

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谷峰半導(dǎo)體

G050P03S

Marking：G050P03；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG050P03Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

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谷峰半導(dǎo)體

G050P03T

Marking：G050P03；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG050P03Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

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谷峰半導(dǎo)體

G05NP04S

Marking：G05NP04；Package：SOP-8Dual；N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description ThisProductusesadvancedtrenchtechnology MOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgate charge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedto formalevelshiftedhighsideswitch,andforahostof otherapplications. Application ?Powerswitch ?DC/DCconverters

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谷峰半導(dǎo)體

G05NP06S2

Marking：G05NP06；Package：SOP-8Dual；N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description ThisProductusesadvancedtrenchtechnology MOSFETstoprovideexcellentR DS(ON)andlowgate charge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedto formalevelshiftedhighsideswitch,andforahostof otherapplications. Application ? Powerswitch DC/DCconverters

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谷峰半導(dǎo)體

G05NP10S

Marking：G05NP10；Package：SOP-8Dual；N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description ThisProductusesadvancedtrenchtechnology MOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgate charge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedto formalevelshiftedhighsideswitch,andforahostof otherapplications. Application ?Powerswitch ?DC/DCconverters

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谷峰半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    G05

  • 制造商：

    XP Power

  • 類別：

    電源 - 板安裝 > 直流轉(zhuǎn)換器

  • 系列：

    XP EMCO - G (1.5W)

  • 包裝：

    管件

  • 類型：

    高電壓 - 隔離模塊

  • 電壓 - 輸入（最小值）：

    0.7V

  • 電壓 - 輸入（最大值）：

    12V

  • 電壓 - 輸出 1：

    500V

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    3mA

  • 應(yīng)用：

    ITE（商業(yè)）

  • 特性：

    比例輸出

  • 工作溫度：

    -10°C ~ 60°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    4-DIP 模塊

  • 大小 / 尺寸：

    1.50" 長(zhǎng) x 1.50" 寬 x 0.63" 高（38.1mm x 38.1mm x 1

  • 描述：

    DC DC CONVERTER 500V 1.5W

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
GTM
16+
SOT-23
3000
只做原裝正品
 詢價(jià)
XP Power
24+
N/A
12000
一級(jí)代理保證進(jìn)口原裝正品假一罰十價(jià)格合理
 詢價(jià)
ADI/亞德諾
QFN
6698
詢價(jià)
金升陽(yáng)
SIP
3200
原裝長(zhǎng)期供貨!
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23+
QFP-64
9280
價(jià)格優(yōu)勢(shì)/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來(lái)電查詢
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16+
QFP
2500
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
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模塊
5000
原裝正品,假一罰十
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公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存!
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TI進(jìn)口
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SSOP-14
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1736+
DIP24
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只做進(jìn)口原裝正品假一賠十!
 詢價(jià)
更多G05供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-30 11:30:00

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