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MIC5219-5.0YMT

Marking：G50；Package：MLF-62x2；500mA-Peak Output LDO Regulator

MicrelMicrel Semiconductor

麥瑞半導(dǎo)體

FGH4L50T65MQDC50

Marking：G50T65MQDC50；Package：TO-247-4LD；IGBT - Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop IV, MQ (Medium Speed), TO247-4L 650 V, 1.45 V, 50 A

Usingthenovelfieldstop4thgenerationIGBTtechnologyand generation1.5SiCSchottkyDiodetechnologyinTO?2474?lead package,FGH4L50T65MQDC50offerstheoptimumperformance withbothlowconductionandswitchinglossesforhigh?efficiency operationsinvariousapplications,especially

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

G500P03IE

Marking：G500P03E；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG500P03IEusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

G500P03LL

Marking：G500P03；Package：SOT-23-6L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG500P03LLusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

G50N03D5

Marking：G50N03；Package：DFN5/6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG50N03D5usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

G50N03J

Marking：G50N03；Package：TO-251；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG50N03Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application ? Powerswitch DC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

G50N03K

Marking：G50N03；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG50N03Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

G50N03KA

Marking：G50N03；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG50N03KAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

SGW50N60HS

Marking：G50N60HS；Package：PG-TO-247-3；High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation

HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

STGB50H65FB2

Marking：G50H65FB2；Package：D2PAK；Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package

Features ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?LowVCE(sat)=1.55V(typ.)@IC=50A ?Minimizedtailcurrent ?Tightparameterdistribution ?Lowthermalresistance ?PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient Applications ?Welding ?Powerfactorcorrection ?UPS ?Solarin

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    G50

  • 制造商：

    XP Power

  • 類別：

    電源 - 板安裝 > 直流轉(zhuǎn)換器

  • 系列：

    XP EMCO - G (1.5W)

  • 包裝：

    管件

  • 類型：

    高電壓 - 隔離模塊

  • 電壓 - 輸入（最小值）：

    0.7V

  • 電壓 - 輸入（最大值）：

    12V

  • 電壓 - 輸出 1：

    5000V

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    300μA

  • 應(yīng)用：

    ITE（商業(yè)）

  • 特性：

    比例輸出

  • 工作溫度：

    -10°C ~ 60°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    4-DIP 模塊

  • 大小 / 尺寸：

    1.50" 長 x 1.50" 寬 x 0.63" 高（38.1mm x 38.1mm

  • 描述：

    DC DC CONVERTER 5000V 1.5W

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多G50供應(yīng)商 更新時間2025-6-25 15:34:00

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