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Marking：GAN111；Package：TO-247-3L；650 V, 97 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package 1.Generaldescription TheGAN111-650WSBisa650V,97mΩGalliumNitride(GaN)FETinaTO-247package.Itisa normally-offdevicethatcombinesNexperia’slatesthigh-voltageGaNHEMTH2technologyand low-voltagesiliconMOSFETtechnologies—offeringsuperiorreliabilityandperformance. | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 | NEXPERIA |
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