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Marking：GD10NC60HD；Package：DPAK；600 V - 10 A - very fast IGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH? processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團 | STMICROELECTRONICS |
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