深圳市銘昌源科技有限公司
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參數(shù)：
規(guī)格
產(chǎn)品屬性屬性值搜索類似
制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:詳細(xì)信息
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:PowerFLAT-5x6-8
通道數(shù)量:2Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60V
Id-連續(xù)漏極電流:57A
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻:11mOhms
Vgsth-柵源極閾值電壓:2V
Vgs-柵極-源極電壓:20V
Qg-柵極電荷:17nC
最小工作溫度:-55C
最大工作溫度:+175C
配置:Dual
Pd-功率耗散:62.5W
通道模式:Enhancement
封裝:Reel
晶體管類型:2N-Channel
商標(biāo):STMicroelectronics
下降時(shí)間:8ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:15.3ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:19.4ns
典型接通延遲時(shí)間:14.5ns
