納微半導(dǎo)體近日宣布，將與力積電攜手推進(jìn)8英寸硅基氮化鎵（GaN）技術(shù)的量產(chǎn)合作。公告顯示，力積電擁有成熟的180nm CMOS制程工藝，可通過更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)優(yōu)化產(chǎn)品的性能、能效、集成度及成本等多方面表現(xiàn)。
據(jù)悉，納微半導(dǎo)體將借助力積電為其100V到650V的氮化鎵器件代工生產(chǎn)，以滿足AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車等新興領(lǐng)域?qū)Ω咝阅蹽aN技術(shù)的持續(xù)增長(zhǎng)需求。首批來自力積電的器件預(yù)計(jì)將于今年第四季度完成認(rèn)證，100V系列將于2026年上半年在力積電正式量產(chǎn)，650V產(chǎn)品則將在未來一至兩年內(nèi)，逐步自現(xiàn)有供應(yīng)商臺(tái)積電轉(zhuǎn)向力積電。
此次戰(zhàn)略調(diào)整，目的是更好地契合高端市場(chǎng)對(duì)于高效GaN產(chǎn)品的需求，進(jìn)一步加快行業(yè)技術(shù)演進(jìn)。納微副總裁Sid Sundaresan博士強(qiáng)調(diào)，依托180nm工藝在8英寸晶圓上推進(jìn)GaN制造，帶來了功率密度、速度和效率的多重突破，同時(shí)提升了生產(chǎn)規(guī)模與成本控制能力。
值得注意的是，納微此前的GaN產(chǎn)品生產(chǎn)一直交由臺(tái)積電代工。近期，臺(tái)積電宣布將于未來兩年中逐步撤出GaN（氮化鎵）市場(chǎng)，相關(guān)產(chǎn)線將在竹科工廠停產(chǎn)。臺(tái)積電表示，正在與客戶協(xié)作確保平穩(wěn)過渡，并承諾在退出期間持續(xù)滿足現(xiàn)有客戶需求。
實(shí)際上，臺(tái)積電此前對(duì)GaN業(yè)務(wù)持積極態(tài)度，并在2024年初的年報(bào)中提到，其第二代650V/100V E-HEMT技術(shù)已通過可靠性驗(yàn)證，原定2025年量產(chǎn)，并規(guī)劃了8英寸GaN-on-Si工藝的發(fā)展，預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)。但根據(jù)最新戰(zhàn)略布局，臺(tái)積電正逐步剝離相對(duì)利潤(rùn)較低的GaN代工業(yè)務(wù)，將重心轉(zhuǎn)向AI芯片等高算力領(lǐng)域。摩根士丹利分析稱，到2026年，臺(tái)積電CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能將較2025年再增33%，以滿足NVIDIA等公司日益增長(zhǎng)的AI芯片需求。預(yù)計(jì)到2025年，先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)對(duì)臺(tái)積電營(yíng)收的貢獻(xiàn)也將超過10%。
2024年，GaN市場(chǎng)雖然出現(xiàn)了一些波動(dòng)，例如Wolfspeed宣布破產(chǎn)重組，以及臺(tái)積電籌劃淡出市場(chǎng)，但氮化鎵依然被視為具備廣闊發(fā)展前景的新一代半導(dǎo)體材料。
作為GaN領(lǐng)域的代表企業(yè)，納微推出了包括雙向GaNFast功率芯片、電機(jī)驅(qū)動(dòng)專用GaNSense芯片等多項(xiàng)創(chuàng)新產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于AI數(shù)據(jù)中心、太陽能及電動(dòng)汽車等行業(yè)。例如，其雙向GaNFast芯片通過獨(dú)特結(jié)構(gòu)和專利技術(shù)獲得了突破，可實(shí)現(xiàn)高功率密度與高能效；在AI數(shù)據(jù)中心，納微的GaN與碳化硅器件助力NVIDIA超高壓直流（HVDC）架構(gòu)，覆蓋1兆瓦以上IT機(jī)架；同時(shí)，其650V GaNFast芯片也已被Enphase太陽能解決方案采用，而GaNSafe技術(shù)則進(jìn)入了商用車載充電機(jī)領(lǐng)域。
隨著臺(tái)積電逐步退出GaN市場(chǎng)，業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，其氮化鎵工藝與力積電高度兼容，納微等廠商在轉(zhuǎn)單過程中遷移成本相對(duì)較低。未來這一變動(dòng)是否會(huì)進(jìn)一步影響晶圓代工行業(yè)的格局，還有待接下來市場(chǎng)和技術(shù)的持續(xù)觀察。
