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IRGIB10B60KD1P 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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  • 廠家型號：

    IRGIB10B60KD1P

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Infineon/英飛凌

  • 庫存數(shù)量：

    8000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-220F(TO-220IS)

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-5-15 14:00:00

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原廠料號：IRGIB10B60KD1P品牌：Infineon/英飛凌

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IRGIB10B60KD1P是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-220F(TO-220IS)/TO-220-3 整包的IRGIB10B60KD1P晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IRGIB10B60KD1P

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大小：

    453.78 kb

  • 資料說明：

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IRGIB10B60KD1P

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，10A

  • 開關(guān)能量：

    156μJ（開），165μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    25ns/180ns

  • 測試條件：

    400V，10A，50 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB 整包

  • 描述：

    IGBT 600V 16A 44W TO220FP

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    富凱科技(深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王先生

  • 手機(jī)：

    13714129649

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82517014

  • 地址：

    深圳市龍華區(qū)民治街道民樂社區(qū)瀅水山莊一區(qū)6棟301

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