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Marking：K11A65W；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.33Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.5to3.5V(VDS=10V,ID=0.45mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA |
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