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Marking：K125N60Z1；Package：TO-247；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications ?SwitchingPowerSupplies Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.105Ω(typ.) (2)High-speedswitchingpropertieswithlowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=0.73mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA |
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