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Marking：K13A50D；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) SwitchingRegulatorApplications Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.31Ω(typ.) Highforwardtransferadmittance:?Yfs?=7.5S(typ.) Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=500V) Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA |
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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