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LM210

Low Profile Miniature Single Phase Surface Mount Bridge Rectifiers

Good-Ark

GOOD-ARK Electronics

LM2101

LM2101 107-V, 0.5-A, 0.8-A Half-Bridge Driver with 8-V UVLO

1Features ?DrivestwoN-channelMOSFETsinhalf-bridge configuration ?8-VtypicalundervoltagelockoutonGVDD ?107-VabsolutemaximumvoltageonBST ?–19.5-Vabsolutemaximumnegativetransient voltagehandlingonSH ?0.5-A/0.8-Apeaksource/sinkcurrents ?115-nstypicalpropagatio

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LM2101DR

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/l2101d/marking.html">L2101D；Package：SOIC；LM2101 107-V, 0.5-A, 0.8-A Half-Bridge Driver with 8-V UVLO

1Features ?DrivestwoN-channelMOSFETsinhalf-bridge configuration ?8-VtypicalundervoltagelockoutonGVDD ?107-VabsolutemaximumvoltageonBST ?–19.5-Vabsolutemaximumnegativetransient voltagehandlingonSH ?0.5-A/0.8-Apeaksource/sinkcurrents ?115-nstypicalpropagatio

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LM2101DSGR

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/l101/marking.html">L101；Package：WSON；LM2101 107-V, 0.5-A, 0.8-A Half-Bridge Driver with 8-V UVLO

1Features ?DrivestwoN-channelMOSFETsinhalf-bridge configuration ?8-VtypicalundervoltagelockoutonGVDD ?107-VabsolutemaximumvoltageonBST ?–19.5-Vabsolutemaximumnegativetransient voltagehandlingonSH ?0.5-A/0.8-Apeaksource/sinkcurrents ?115-nstypicalpropagatio

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LM2103

LM2103 107-V, 0.5-A/0.8-A Half-Bridge Driver with 8-V UVLO, Dead Time, and Inverting Input

1Features ?DrivestwoN-channelMOSFETsinhalf-bridge configuration ?8-VtypicalundervoltagelockoutonGVDD ?107-VabsolutemaximumvoltageonBST ?–19.5-Vabsolutemaximumnegativetransient voltagehandlingonSH ?0.5-A/0.8-Apeaksource/sinkcurrents ?475-nstypicalfixedinte

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LM2103

具有 8V UVLO、死區(qū)時間和反相輸入引腳的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅(qū)動器。; ? 可驅(qū)動兩個采用半橋配置的 N 溝道 MOSFET\n? 8-V GVDD 上的典型欠壓鎖定\n? BST 上的最大絕對電壓為 107V\n? SH 上的 –19.5V 絕對最大負(fù)瞬態(tài)電壓處理\n? 0.5A/0.8A 峰值拉電流/灌電流\n? 典型固定內(nèi)部死區(qū)時間為 475ns\n? 內(nèi)置跨導(dǎo)保護(hù)\n? 115ns 典型傳播延遲\n? 反相輸入引腳 INL;

LM2103 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動器，專為驅(qū)動采用同步降壓或半橋配置的高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET 而設(shè)計(jì)。 INL 反相輸入允許在雙路或單路 PWM 輸入應(yīng)用中使用驅(qū)動器。\n\nSH 引腳具有 固定死區(qū)時間以及 –1V 直流和 –19.5V 瞬態(tài)負(fù)電壓處理能力，可提升高噪聲應(yīng)用中的系統(tǒng)穩(wěn)健性。 LM2103 采用與業(yè)界通用引腳排列兼容的 8 引腳 SOIC 封裝。在低側(cè)和高側(cè)電源軌上均提供欠壓鎖定 (UVLO) 功能，以在上電和斷電期間提供保護(hù)。

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LM2103DR

絲印：L2103D；Package：SOIC；LM2103 107-V, 0.5-A/0.8-A Half-Bridge Driver with 8-V UVLO, Dead Time, and Inverting Input

1Features ?DrivestwoN-channelMOSFETsinhalf-bridge configuration ?8-VtypicalundervoltagelockoutonGVDD ?107-VabsolutemaximumvoltageonBST ?–19.5-Vabsolutemaximumnegativetransient voltagehandlingonSH ?0.5-A/0.8-Apeaksource/sinkcurrents ?475-nstypicalfixedinte

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LM2104

LM2104 107-V, 0.5-A, 0.8-A Half-Bridge Driver with 8-V UVLO, Dead Time, and Shutdown Pin

1Features ?DrivestwoN-channelMOSFETsinhalf-bridge configuration ?8-VtypicalundervoltagelockoutonGVDD ?107-VabsolutemaximumvoltageonBST ?–19.5-Vabsolutemaximumnegativetransient voltagehandlingonSH ?0.5-A/0.8-Apeaksource/sinkcurrents ?475-nstypicalfixedinte

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LM2104

具有 8V UVLO、死區(qū)時間和關(guān)斷功能的 107V、0.5A/0.8A、半橋柵極驅(qū)動器; ? 可驅(qū)動兩個采用半橋配置的 N 溝道 MOSFET\n? 8-V GVDD 上的典型欠壓鎖定\n? BST 上的最大絕對電壓為 107V\n? SH 上的 –19.5V 絕對最大負(fù)瞬態(tài)電壓處理\n? 0.5A/0.8A 峰值拉電流/灌電流\n? 典型固定內(nèi)部死區(qū)時間為 475ns\n? 內(nèi)置跨導(dǎo)保護(hù)\n? 115ns 典型傳播延遲\n? 關(guān)斷邏輯輸入引腳 SD\n? 單輸入引腳 IN;

LM2104 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動器，專為驅(qū)動采用同步降壓或半橋配置的高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET 而設(shè)計(jì)。 IN 引腳使得該器件可用于單 PWM 輸入應(yīng)用，而 SD 引腳則允許控制器在 SD 引腳為低電平時關(guān)閉驅(qū)動器輸出以將其禁用，而不受 IN 引腳狀態(tài)的影響。\n\nSH 引腳具有 固定死區(qū)時間以及 –1V 直流和 –19.5V 瞬態(tài)負(fù)電壓處理能力，可提升高噪聲應(yīng)用中的系統(tǒng)穩(wěn)健性。 LM2104 采用與業(yè)界通用引腳排列兼容的 8 引腳 SOIC 封裝。在低側(cè)和高側(cè)電源軌上均提供欠壓鎖定 (UVLO) 功能，以在上電和斷電期間提供保護(hù)。

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LM2104DR

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/l2104d/marking.html">L2104D；Package：SOIC；LM2104 107-V, 0.5-A, 0.8-A Half-Bridge Driver with 8-V UVLO, Dead Time, and Shutdown Pin

1Features ?DrivestwoN-channelMOSFETsinhalf-bridge configuration ?8-VtypicalundervoltagelockoutonGVDD ?107-VabsolutemaximumvoltageonBST ?–19.5-Vabsolutemaximumnegativetransient voltagehandlingonSH ?0.5-A/0.8-Apeaksource/sinkcurrents ?475-nstypicalfixedinte

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

技術(shù)參數(shù)

  • Power switch：

    IGBT

  • Input VCC (min) (V)：

    9

  • Input VCC (max) (V)：

    18

  • Peak output current (A)：

    0.65

  • Operating temperature range (°C)：

    -40 to 125

  • Undervoltage lockout (typ) (V)：

    8

  • Rating：

    Catalog

  • Fall time (ns)：

    18

  • Iq (mA)：

    0.0333

  • Input threshold：

    CMOS

  • Channel input logic：

    Inverting

  • Negative voltage handling at HS pin (V)：

    -1

  • Features：

    Dead time control

  • Driver configuration：

    Single input

  • 封裝：

    SOIC (D)

  • 引腳：

    8

  • 尺寸：

    29.4 mm2 4.9 x 6

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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