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MMBTH10分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBTH10
廠商型號

MMBTH10
參數(shù)屬性

MMBTH10 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
功能描述

NPN RF Transistor
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

71.5 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-16 16:54:00
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MMBTH10規(guī)格書詳情

NPN RF Transistor

This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers, with collector currents in the 100 μA to 20 mA range in common emitter or common base mode of operations, and in low frequency drift, high output UHF oscillators. Sourced from Process 42.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MMBTH10

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    25V

  • 頻率 - 躍遷：

    650MHz

  • 功率 - 最大值：

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 4mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    50mA

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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MMBTH10
1718
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