首頁>NAND01GR3B2BZA6E>芯片詳情

NAND01GR3B2BZA6E_STMICROELECTRONICS/意法半導體_IC FLASH 1GBIT 63VFBGA科恒偉業(yè)二部

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    NAND01GR3B2BZA6E

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ST/意法

  • 庫存數(shù)量：

    8850

  • 產(chǎn)品封裝：

    BGA

  • 生產(chǎn)批號：

    2450+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-7-17 15:54:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NAND01GR3B2BZA6E品牌：ST/意法

只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!!

  • 芯片型號：

    NAND01GR3B2BZA6E

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導體集團

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    62 頁

  • 文件大?。?/span>

    711.53 kb

  • 資料說明：

    1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    NAND01GR3B2BZA6E

  • 功能描述：

    IC FLASH 1GBIT 63VFBGA

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品變化通告：

    Product Discontinuation 26/Apr/2010

  • 標準包裝：

    136

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    RAM

  • 存儲器類型：

    SRAM - 同步，DDR II

  • 存儲容量：

    18M（1M x 18）

  • 速度：

    200MHz

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    1.7 V ~ 1.9 V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C

  • 封裝/外殼：

    165-TBGA

  • 供應商設備封裝：

    165-CABGA（13x15）

  • 包裝：

    托盤

  • 其它名稱：

    71P71804S200BQ

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐/黃先生

  • 手機：

    13424246946

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82569753

  • 傳真：

    0755-83205202

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路101號華勻1棟5樓B14

相近型號