NAND01GW3B2AN6F_集成電路(IC) 存儲(chǔ)器-意法半導(dǎo)體

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原廠料號(hào):NAND01GW3B2AN6F品牌:STMicroelectronics

資料說明:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

NAND01GW3B2AN6F是集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)的NAND01GW3B2AN6F存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號(hào):

    nand01gw3b2an6f

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 資料說明:

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NAND01GW3B2AN6F

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    閃存 - NAND

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    30ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-TSOP

  • 描述:

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

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