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NAND01GW3B2CN6E_集成電路（IC） 存儲(chǔ)器-美光科技

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原廠料號(hào)：NAND01GW3B2CN6E品牌：Micron Technology Inc.

資料說(shuō)明：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

NAND01GW3B2CN6E是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商ELPIDA/美光科技生產(chǎn)封裝48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）的NAND01GW3B2CN6E存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號(hào)：

    nand01gw3b2cn6e

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ELPIDA【美光科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Elpida Memory

  • 中文名稱：

    美光科技股份有限公司

  • 資料說(shuō)明：

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NAND01GW3B2CN6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    閃存 - NAND

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Gb（128M x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TSOP

  • 描述：

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
25+
TSOP
13800
原裝,請(qǐng)咨詢
 詢價(jià)
NUMONYX
21+
TSOP48
5760
全新原裝鄙視假貨
 詢價(jià)
NUMONYX
17+
TSOP
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ST
2020+
TSOP
18600
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
ST
2021+
TSSOP48
9450
原裝現(xiàn)貨。
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ST/意法
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只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
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ST/意法
1015+
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原裝正品 可含稅交易
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ST/意法
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TSOP48
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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ST/意法
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98900
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23+
TSSOP48
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只做進(jìn)口原裝QQ:373621633
 詢價(jià)

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