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NE3512S02-T1C-A_RENESAS/瑞薩_射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET中天科工二部

NE3512S02-T1C-A

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  • 廠家型號：

    NE3512S02-T1C-A

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    RENESAS/瑞薩

  • 庫存數(shù)量：

    18198

  • 產(chǎn)品封裝：

    SMT

  • 生產(chǎn)批號：

    25+

  • 庫存類型：

    熱賣庫存

  • 更新時間：

    2025-7-23 18:10:00

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原廠料號：NE3512S02-T1C-A品牌：RENESAS/瑞薩

RENESAS/瑞薩原裝特價NE3512S02-T1C-A即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨

  • 芯片型號：

    NE3512S02-T1C-A

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    270.66 kb

  • 資料說明：

    HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    NE3512S02-T1C-A

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導(dǎo)

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

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  • 聯(lián)系人：

    李先生

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