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NGTB15N60S1EG_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 15A 600V IGBT盈慧通商城
- 詳細(xì)信息
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產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
NGTB15N60S1EG
- 功能描述:
IGBT 晶體管 15A 600V IGBT
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
650 V
- 集電極—射極飽和電壓:
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓:
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流:
150 A
- 柵極—射極漏泄電流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封裝/箱體:
TO-247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
相近型號(hào)
- NGTB15N60
- NGTB20N120IHRW
- NGTB15N135IHRWG
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- NGTB15N120LWG
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