NSS12200LT1G 分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

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1+	0.088

廠家型號：
NSS12200LT1G
產品分類：
芯片
生產廠商：
onsemi
庫存數量：
30000
產品封裝：
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
生產批號：
24+
庫存類型：
熱賣庫存
更新時間：
2025-5-1 14:14:00

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原廠料號：NSS12200LT1G品牌：onsemi

晶體管-分立半導體產品-原裝正品

NSS12200LT1G是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商onsemi生產封裝TO-236-3,SC-59,SOT-23-3/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的NSS12200LT1G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

芯片型號：
NSS12200LT1G
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數：
5 頁
文件大小：
102.7 kb
資料說明：
12 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

產品屬性

類型
描述
產品編號：
NSS12200LT1G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
180mV @ 200mA，2A
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 500mA，2V
頻率 - 躍遷：
100MHz
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 12V 2A SOT23-3

供應商

企業(yè)：
中天科工半導體（深圳）有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯系人：
李先生
手機：
13128990370
詢價：
電話：
13128990370/微信同號
傳真：
原裝正品
地址：
深圳市福田區(qū)賽格廣場54層5406-5406B

NSS12200LT1G 分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

NSS12200LT1G

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