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PBSS4032SP中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
PBSS4032SP |
功能描述 | 30 V, 4.8 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | SO8 |
文件大小 |
837.72 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
15 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
NEXPERIA【安世】 |
中文名稱(chēng) | 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-7-12 12:00:00 |
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PBSS4032SP規(guī)格書(shū)詳情
General description
PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
Features and benefits
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ Optimized switching time
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
Applications
■ DC-to-DC conversion
■ Battery-driven devices
■ Power management
■ Charging circuits
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
PBSS4032SP
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT Dual +/-30V ’+5.7A -5.7A 0.73W 140MHz
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2511 |
4945 |
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35000 |
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詢(xún)價(jià) | ||
恩XP |
23+ |
SOP8 |
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詢(xún)價(jià) | ||
恩XP |
23+ |
SOP8 |
78280 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢(xún)價(jià) | ||
恩XP |
2023+ |
SOP-8 |
8635 |
全新原裝正品,優(yōu)勢(shì)價(jià)格 |
詢(xún)價(jià) | ||
24+ |
N/A |
56000 |
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