型號(hào)SI3590Dv 庫(kù)存搜索
詳情芯片 SI3590DV-T1-GE3-VB是VBsemi品牌生產(chǎn)的雙路N+P—Channel溝道功率MOSFET,采用SOT23-6封裝。它集成了兩個(gè)N溝道MOSFET和一個(gè)P溝道MOSFET,具有雙向電流傳輸能力,適用于多種功率管理和開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)。 ### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 - **電壓額定值 (VDS):**_±20V - **N溝道電流額定值 (ID):**_7A - **P溝道電流額定值 (ID):**_-4.5A - **N溝道導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**_20mΩ @ VGS = 4.5V - **P溝道導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**_70mΩ @ VGS = 4.5V - **閾值電壓 (Vth):**_N溝道:0.71V,P溝道:-0.81V - **最大柵極—源極電壓 (VGS(max)):**_±20V SI3590DV-T1-GE3-VB是VBsemi品牌生產(chǎn)的雙路N+P—Channel溝道功率MOSFET,采用SOT23-6封裝
- 品牌
VISHAY
- 數(shù)量
177000
- 封裝
TSOP6
- 批號(hào)
23+
- 供應(yīng)商